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codice articolo del costruttore | SQ3418EEV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ3418EEV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ3418EEV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3418EEV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ3418EEV-T1-GE3-FT |
SI3443CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456DDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3469DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3476DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3440DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3459BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel