casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPU04N60C3BKMA1
codice articolo del costruttore | SPU04N60C3BKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPU04N60C3BKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPU04N60C3BKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPU04N60C3BKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPU04N60C3BKMA1-FT |
IRFH8318TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8325TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH8325TRPBF
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IRFH8330TR2PBF
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IRFH8330TRPBF
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IRFH8334TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH8337TR2PBF
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IRFH8337TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM3911TRPBF
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel