casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPI47N10L
codice articolo del costruttore | SPI47N10L |
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Numero di parte futuro | FT-SPI47N10L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPI47N10L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 175W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI47N10L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPI47N10L-FT |
IRFZ34NLPBF
Infineon Technologies
IRFZ44EL
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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