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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDNH28YZU3D2 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDNH28YZU3D2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen2 |
SPHWHAHDNH28YZU3D2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Warm |
CCT (K) | 3500K 3-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 3343 lm (Typ) |
Corrente - Test | 900mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34.6V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 107 lm/W |
Corrente - max | 2.3A |
CRI (indice di resa cromatica) | 95 (Typ) |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 19.00mm L x 19.00mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 14.50mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDNH28YZU3D2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDNH28YZU3D2-FT |
SPHWHAHDNG27YZU2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2J8
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3J8
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZV2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZV2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
LFE2M35E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B6U19C7N
Intel
EP2AGX125EF29I5N
Intel
EPF81500AQC240-4
Intel