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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDNH28YZU2D2 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDNH28YZU2D2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen2 |
SPHWHAHDNH28YZU2D2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Warm |
CCT (K) | 3500K 2-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 3343 lm (Typ) |
Corrente - Test | 900mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34.6V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 107 lm/W |
Corrente - max | 2.3A |
CRI (indice di resa cromatica) | 95 (Typ) |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 19.00mm L x 19.00mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 14.50mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDNH28YZU2D2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDNH28YZU2D2-FT |
SPHWHAHDNG27YZT3J8
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU2J8
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZU3J8
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNG27YZV2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
A42MX16-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C8
Intel
5CEBA4F17I7
Intel
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
10M08DCU324I7G
Intel
10AX032E1F27E1SG
Intel
EP4CGX22CF19C6N
Intel