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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDNG27YZT3D3 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDNG27YZT3D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen3 |
SPHWHAHDNG27YZT3D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Neutral |
CCT (K) | 4000K 3-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 3526 lm (Typ) |
Corrente - Test | 720mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 144 lm/W |
Corrente - max | 1.84A |
CRI (indice di resa cromatica) | 90 |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 19.00mm L x 19.00mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 14.50mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDNG27YZT3D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDNG27YZT3D3-FT |
SPHWHAHDNF27YZU3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZU3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZU3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZU3J1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV2J0
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV3C2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNF27YZV3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
XC3S1200E-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV150-5FG456C
Xilinx Inc.
M7AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29C2L
Intel
10AX022E4F29I3SG
Intel
EP20K100EQC208-2X
Intel