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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDNE27YZR3D3 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDNE27YZR3D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen3 |
SPHWHAHDNE27YZR3D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Cool |
CCT (K) | 5000K 3-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 2267 lm (Typ) |
Corrente - Test | 450mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 148 lm/W |
Corrente - max | 1.15A |
CRI (indice di resa cromatica) | 90 |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 19.00mm L x 19.00mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 14.50mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDNE27YZR3D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDNE27YZR3D3-FT |
SPHWHAHDND27YZR3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZR3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZR3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZR3H4
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT2H4
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDND27YZT3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
XC6SLX75T-3FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3ES
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC2V1000-5BGG575C
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
5AGZME3H3F35I4N
Intel