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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDND27YZV2D3 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDND27YZV2D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen3 |
SPHWHAHDND27YZV2D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Warm |
CCT (K) | 3000K 2-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 1661 lm (Typ) |
Corrente - Test | 360mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 136 lm/W |
Corrente - max | 920mA |
CRI (indice di resa cromatica) | 90 |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 13.50mm L x 13.50mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 9.80mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDND27YZV2D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDND27YZV2D3-FT |
SPHWHAHDNC27YZT2H0
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZT3C2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZT3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZT3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZT3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZT3H0
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZU2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZU2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZU2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNC27YZU2H0
Samsung Semiconductor, Inc.
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
LFE2M35E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B6U19C7N
Intel
EP2AGX125EF29I5N
Intel
EPF81500AQC240-4
Intel