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codice articolo del costruttore | SPHWHAHDNB27YZR3D3 |
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Numero di parte futuro | FT-SPHWHAHDNB27YZR3D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | COB D Gen3 |
SPHWHAHDNB27YZR3D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Chip On Board (COB) |
Colore | White, Cool |
CCT (K) | 5000K 3-Step MacAdam Ellipse |
lunghezza d'onda | - |
Configurazione | Square |
Flux @ Current / Temperature - Test | 902 lm (Typ) |
Corrente - Test | 180mA |
Temperatura - Test | 85°C |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 34V |
Lumens / Watt @ Current - Test | 147 lm/W |
Corrente - max | 460mA |
CRI (indice di resa cromatica) | 90 |
Angolo di visione | 115° |
Caratteristiche | - |
Dimensione / Dimensione | 13.50mm L x 13.50mm W |
Altezza | 1.50mm |
Light Emitting Surface (LES) | 9.80mm Diameter |
Tipo di lente | Flat |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPHWHAHDNB27YZR3D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPHWHAHDNB27YZR3D3-FT |
SPHWHAHDNA25YZU3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV2B1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV2D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV2D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV2D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV3B1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV3D1
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV3D2
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZV3D3
Samsung Semiconductor, Inc.
SPHWHAHDNA25YZW2A9
Samsung Semiconductor, Inc.
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-2X
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
5SGXEA5N1F45C2N
Intel
EP4SE820H40C3
Intel
XC6SLX25-N3CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C3
Intel