casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB80N08S2L-07
codice articolo del costruttore | SPB80N08S2L-07 |
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Numero di parte futuro | FT-SPB80N08S2L-07 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPB80N08S2L-07 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 233nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB80N08S2L-07 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB80N08S2L-07-FT |
NTB65N02R
ON Semiconductor
NTB65N02RG
ON Semiconductor
NTB65N02RT4
ON Semiconductor
NTB65N02RT4G
ON Semiconductor
NTB75N03-006
ON Semiconductor
NTB75N03-06T4
ON Semiconductor
NTB75N03-6G
ON Semiconductor
NTB75N03-6T4G
ON Semiconductor
NTB75N03L09G
ON Semiconductor
NTB75N03L09T4
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel