casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5232DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5232DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5232DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5232DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5232DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5232DW1T1G-FT |
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
EP1S30F780C7N
Intel
EP2S90F1020C5N
Intel