casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / SMUN2113T1G
codice articolo del costruttore | SMUN2113T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN2113T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN2113T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN2113T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN2113T1G-FT |
DTA143ZM3T5G
ON Semiconductor
DTC143TM3T5G
ON Semiconductor
DTC115EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor
MMUN2113LT3G
ON Semiconductor
MMUN2115LT1G
ON Semiconductor
MMUN2137LT1G
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
Intel
EPF8282ALC84-3
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel