casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / SMSA7621-060
codice articolo del costruttore | SMSA7621-060 |
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Numero di parte futuro | FT-SMSA7621-060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMSA7621-060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 2V |
Corrente - max | 50mA |
Capacità @ Vr, F | 0.18pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMSA7621-060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMSA7621-060-FT |
BAT1706WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAP64-04W-TP
Micro Commercial Co
BAR6304WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6406WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 64-05W H6433
Infineon Technologies
BAR6304WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6305WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6306WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6404WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAR6405WE6327BTSA1
Infineon Technologies
EPF8820ATC144-4N
Intel
XCV812E-7FG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC256-2X
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FF1148I
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I1SG
Intel
10AX115N2F45I2SGE2
Intel
EP20K200EQC240-2
Intel