casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SMMBT6427LT1G
codice articolo del costruttore | SMMBT6427LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMMBT6427LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMMBT6427LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMMBT6427LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMMBT6427LT1G-FT |
BC858CLT1G
ON Semiconductor
SMMBT4401LT1G
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SMMBT5088LT1G
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NSS60201LT1G
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BC848CLT1G
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SBC846BLT1G
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CPH3107-TL-E
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BC847BLT3G
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BCW72LT1G
ON Semiconductor
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
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10AX032E3F27I2LG
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10AX048E4F29I3SG
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5SGXEABN2F45C3N
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5SEEBH40I2N
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5SGXMA3H1F35C2LN
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