casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SMMBT5089LT1G
codice articolo del costruttore | SMMBT5089LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMMBT5089LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMMBT5089LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 100µA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMMBT5089LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMMBT5089LT1G-FT |
MJE18004D2G
ON Semiconductor
MJE18006
ON Semiconductor
MJE18006G
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MJE5851
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EP2C5T144I8
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LFE2-6E-6TN144I
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A54SX16A-FG144
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10CL025ZU256I8G
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5SGXEA5N2F40I2L
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XC4VLX40-11FF1148C
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XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
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