casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCJ40AHE3/57T
codice articolo del costruttore | SMCJ40AHE3/57T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SMCJ40AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCJ40AHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 40V |
Voltage - Breakdown (Min) | 44.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 64.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 23.3A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMCJ) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ40AHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCJ40AHE3/57T-FT |
SMCJ11AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ120A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ120A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ120A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ120AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ120AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ12A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ12A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ12A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ12AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel