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codice articolo del costruttore | SMCJ22AHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-SMCJ22AHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCJ22AHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 22V |
Voltage - Breakdown (Min) | 24.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 35.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 42.3A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMCJ) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ22AHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCJ22AHE3/9AT-FT |
SM15T7V5A-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T7V5A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T7V5A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T7V5A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T7V5AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T7V5AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation