casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG11AHE3/57T
codice articolo del costruttore | SMCG11AHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-SMCG11AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG11AHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
Voltage - Breakdown (Min) | 12.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 18.2V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 82.4A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG11AHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG11AHE3/57T-FT |
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel