casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG11A-M3/9AT
codice articolo del costruttore | SMCG11A-M3/9AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SMCG11A-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
SMCG11A-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
Voltage - Breakdown (Min) | 12.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 18.2V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 82.4A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG11A-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG11A-M3/9AT-FT |
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
MPF500T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
A54SX16A-2TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600CB652C8
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel