casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG110A-E3/9AT
codice articolo del costruttore | SMCG110A-E3/9AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SMCG110A-E3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
SMCG110A-E3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 110V |
Voltage - Breakdown (Min) | 122V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 177V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 8.5A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG110A-E3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG110A-E3/9AT-FT |
SM8S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation