casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG100AHE3/57T
codice articolo del costruttore | SMCG100AHE3/57T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SMCG100AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG100AHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 100V |
Voltage - Breakdown (Min) | 111V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 162V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 9.3A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG100AHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG100AHE3/57T-FT |
SM8S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15A-002HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16A-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation