casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMBJ7.5AHE3/52
codice articolo del costruttore | SMBJ7.5AHE3/52 |
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Numero di parte futuro | FT-SMBJ7.5AHE3/52 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMBJ7.5AHE3/52 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 7.5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 8.33V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 12.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 46.5A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMBJ) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBJ7.5AHE3/52 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMBJ7.5AHE3/52-FT |
P6SMB18AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T100AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T100AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T10AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T10AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T12AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T12AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T150AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T150AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T15AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel