casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SMBD1122LT3G
codice articolo del costruttore | SMBD1122LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-SMBD1122LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
SMBD1122LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBD1122LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMBD1122LT3G-FT |
B1100AE-13
Diodes Incorporated
B1100BE-13
Diodes Incorporated
B120BE-13
Diodes Incorporated
B130BE-13
Diodes Incorporated
B140BE-13
Diodes Incorporated
B150BE-13
Diodes Incorporated
B160BE-13
Diodes Incorporated
B170AE-13
Diodes Incorporated
B170BE-13
Diodes Incorporated
B180AE-13
Diodes Incorporated
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel