casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMB10J12AHE3/52
codice articolo del costruttore | SMB10J12AHE3/52 |
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Numero di parte futuro | FT-SMB10J12AHE3/52 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMB10J12AHE3/52 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 50.3A |
Potenza - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMB10J12AHE3/52 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMB10J12AHE3/52-FT |
SMBJ26CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ28CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ33CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ36CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ40CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ51CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ60CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ64CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ75CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ43CD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel