casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S40-E3/2D
codice articolo del costruttore | SM8S40-E3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S40-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PAR® |
SM8S40-E3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 40V |
Voltage - Breakdown (Min) | 44.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 71.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 92.4A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S40-E3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S40-E3/2D-FT |
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation