casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S36A-7001HE4/2N
codice articolo del costruttore | SM8S36A-7001HE4/2N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SM8S36A-7001HE4/2N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S36A-7001HE4/2N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 36V |
Voltage - Breakdown (Min) | 40V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 58.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 114A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36A-7001HE4/2N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S36A-7001HE4/2N-FT |
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel