casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S36-2HE3/I
codice articolo del costruttore | SM8S36-2HE3/I |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S36-2HE3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S36-2HE3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 36V |
Voltage - Breakdown (Min) | 40V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 64.3V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 103A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36-2HE3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S36-2HE3/I-FT |
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100I
Microsemi Corporation
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-2N
Intel