casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S30-E3/2D
codice articolo del costruttore | SM8S30-E3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S30-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PAR® |
SM8S30-E3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 30V |
Voltage - Breakdown (Min) | 33.3V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 53.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 123A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S30-E3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S30-E3/2D-FT |
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel