casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S16HE3/2D
codice articolo del costruttore | SM6S16HE3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM6S16HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S16HE3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 16V |
Voltage - Breakdown (Min) | 17.8V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 28.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 160A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S16HE3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S16HE3/2D-FT |
SM5S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel