casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S13AHE3/2D
codice articolo del costruttore | SM6S13AHE3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM6S13AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S13AHE3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 13V |
Voltage - Breakdown (Min) | 14.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 21.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 214A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S13AHE3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S13AHE3/2D-FT |
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation