casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SM5817PL-TP
codice articolo del costruttore | SM5817PL-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SM5817PL-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SM5817PL-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123FL |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM5817PL-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM5817PL-TP-FT |
SK28-LTP
Micro Commercial Co
SK28-TP
Micro Commercial Co
SK3150B-LTP
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SK33B-LTP
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LCMXO2280E-3TN100I
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M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
Intel