casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SL42HE3_A/I
codice articolo del costruttore | SL42HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SL42HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SL42HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SL42HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SL42HE3_A/I-FT |
ES3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel