casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SJPM-H4VL
codice articolo del costruttore | SJPM-H4VL |
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Numero di parte futuro | FT-SJPM-H4VL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPM-H4VL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPM-H4VL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SJPM-H4VL-FT |
SFT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel