casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SJPB-H9VR
codice articolo del costruttore | SJPB-H9VR |
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Numero di parte futuro | FT-SJPB-H9VR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPB-H9VR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H9VR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SJPB-H9VR-FT |
RAS00412XX
Powerex Inc.
RAXMGC0412XX
Powerex Inc.
RBK84040XXOO
Powerex Inc.
RBK84240XXOO
Powerex Inc.
RBK84440XXOO
Powerex Inc.
RBK84540XXOO
Powerex Inc.
RBT83243XXOO
Powerex Inc.
RBT83643XXOO
Powerex Inc.
RBT84043XXOO
Powerex Inc.
SARS01V
Sanken
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
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EP4SGX110FF35C4
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