casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SJPB-H4VL
codice articolo del costruttore | SJPB-H4VL |
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Numero di parte futuro | FT-SJPB-H4VL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPB-H4VL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H4VL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SJPB-H4VL-FT |
R9G02018XX
Powerex Inc.
R9G02022XX
Powerex Inc.
R9G02212XX
Powerex Inc.
R9G02412XX
Powerex Inc.
RAS00412XX
Powerex Inc.
RAXMGC0412XX
Powerex Inc.
RBK84040XXOO
Powerex Inc.
RBK84240XXOO
Powerex Inc.
RBK84440XXOO
Powerex Inc.
RBK84540XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel