casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISH402DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISH402DN-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SISH402DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SISH402DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8SH |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8SH |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH402DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISH402DN-T1-GE3-FT |
SIHP28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP35N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix
SIHA18N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHA4N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA6N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA24N65EF-E3
Vishay Siliconix
SIHA21N60EF-E3
Vishay Siliconix
SIHA11N80E-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel