casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISA14DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISA14DN-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SISA14DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SISA14DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISA14DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISA14DN-T1-GE3-FT |
IRFU310PBF
Vishay Siliconix
IRFU9210PBF
Vishay Siliconix
IRFU110PBF
Vishay Siliconix
IRLU110PBF
Vishay Siliconix
IRFU120PBF
Vishay Siliconix
IRFU9014PBF
Vishay Siliconix
IRLU024PBF
Vishay Siliconix
IRFU420PBF
Vishay Siliconix
IRFU9310PBF
Vishay Siliconix
IRFU9024PBF
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel