casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISA04DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISA04DN-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SISA04DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SISA04DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.15 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3595pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISA04DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISA04DN-T1-GE3-FT |
IRFU210PBF
Vishay Siliconix
IRFU214PBF
Vishay Siliconix
IRFU220PBF
Vishay Siliconix
IRFU224PBF
Vishay Siliconix
IRFUC20PBF
Vishay Siliconix
SIHU3N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHU5N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRLU014
Vishay Siliconix
IRLU024
Vishay Siliconix
IRLU110
Vishay Siliconix