casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIRA22DP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIRA22DP-T1-RE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIRA22DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIRA22DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.76 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +16V, -12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7570pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA22DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIRA22DP-T1-RE3-FT |
SI7404DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7404DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7405BDN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7405BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7407DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7409ADN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7409ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7411DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7411DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel