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Vishay Siliconix SIRA12BDP-T1-GE3

Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3
Price: 0.242952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (50 reviews)

Numero parte MFG: SIRA12BDP-T1-GE3

quantità disponibile: 92770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.242952

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 30V

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIRA12BDP-T1-GE3.pdf

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SIRA12BDP-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIRA12BDP-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIRA12BDP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIRA12BDP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 38W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIRA12BDP-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIRA12BDP-T1-GE3-FT

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