casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR850DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIR850DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR850DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR850DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR850DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR850DP-T1-GE3-FT |
SI7476DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7483ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7483ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7485DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7485DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7491DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7491DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7495DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7495DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7633DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel