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codice articolo del costruttore | SIR662DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR662DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR662DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4365pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR662DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR662DP-T1-GE3-FT |
SI7601DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7620DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7621DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7623DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7703EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7718DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7726DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel