casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR638DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIR638DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR638DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR638DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR638DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR638DP-T1-GE3-FT |
SI7601DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7601DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7620DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7621DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7623DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7703EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7718DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7726DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel