casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR622DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIR622DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR622DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ThunderFET® |
SIR622DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 7.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1516pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR622DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR622DP-T1-GE3-FT |
IRFBC20
Vishay Siliconix
IRFBC30
Vishay Siliconix
IRFBC30A
Vishay Siliconix
IRFBC40
Vishay Siliconix
IRFBC40A
Vishay Siliconix
IRFBC40LC
Vishay Siliconix
IRFBE20
Vishay Siliconix
IRFBE30
Vishay Siliconix
IRFBF20
Vishay Siliconix
IRFBG20
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel