casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHU3N50D-E3
codice articolo del costruttore | SIHU3N50D-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHU3N50D-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHU3N50D-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251AA |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU3N50D-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHU3N50D-E3-FT |
IRFS9N60ATRR
Vishay Siliconix
IRFZ14S
Vishay Siliconix
IRFZ14STRL
Vishay Siliconix
IRFZ14STRR
Vishay Siliconix
IRFZ24S
Vishay Siliconix
IRFZ24STRL
Vishay Siliconix
IRFZ24STRR
Vishay Siliconix
IRFZ34S
Vishay Siliconix
IRFZ34STRL
Vishay Siliconix
IRFZ34STRR
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel