casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHP18N50C-E3
codice articolo del costruttore | SIHP18N50C-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHP18N50C-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHP18N50C-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2942pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 223W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP18N50C-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHP18N50C-E3-FT |
IRF840PBF
Vishay Siliconix
IRF610PBF
Vishay Siliconix
IRF510PBF
Vishay Siliconix
IRF520PBF
Vishay Siliconix
IRF540PBF
Vishay Siliconix
IRF530PBF
Vishay Siliconix
IRL620PBF
Vishay Siliconix
IRFBE30PBF
Vishay Siliconix
IRFZ44RPBF
Vishay Siliconix
IRF740PBF
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel