casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHH14N65EF-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIHH14N65EF-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHH14N65EF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHH14N65EF-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 271 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1749pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH14N65EF-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHH14N65EF-T1-GE3-FT |
SI3455ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3455ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3456BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3457BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3457BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3457CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
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EP2AGX190EF29I5
Intel