casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHG120N60E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHG120N60E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHG120N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHG120N60E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1562pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 179W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG120N60E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHG120N60E-GE3-FT |
SUD50N10-18P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N10-18P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N10-34P-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD50P04-13L-E3
Vishay Siliconix
SUD50P04-13L-GE3
Vishay Siliconix
SUD50P04-23-E3
Vishay Siliconix
SUD50P04-23-GE3
Vishay Siliconix
SUD50P04-40P-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD50P08-26-E3
Vishay Siliconix
SUD50P10-43-E3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel