casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHB10N40D-GE3
codice articolo del costruttore | SIHB10N40D-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIHB10N40D-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHB10N40D-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 526pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB10N40D-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHB10N40D-GE3-FT |
IRF530SPBF
Vishay Siliconix
IRFBC40ASPBF
Vishay Siliconix
IRF620SPBF
Vishay Siliconix
IRF610STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF630STRRPBF
Vishay Siliconix
IRF644STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF730ASTRLPBF
Vishay Siliconix
IRF730STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF740STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF820STRLPBF
Vishay Siliconix