casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SIGC158T120R3LEX1SA2
codice articolo del costruttore | SIGC158T120R3LEX1SA2 |
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Numero di parte futuro | FT-SIGC158T120R3LEX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIGC158T120R3LEX1SA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 450A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIGC158T120R3LEX1SA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIGC158T120R3LEX1SA2-FT |
IHY20N120R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY20N135R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY30N160R2XKSA1
Infineon Technologies
IKFW50N60ETXKSA1
Infineon Technologies
IKFW75N60ETXKSA1
Infineon Technologies
IKFW90N60EH3XKSA1
Infineon Technologies
IRG4BAC50W-S
Infineon Technologies
IRG4BAC50W-SPBF
Infineon Technologies
IRG4CC50UB
Infineon Technologies
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel